Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри

Естественно, самое главное и самое интересное в Samsung 850 EVO — это трёхмерная трёхбитовая память. Комментарии на 3DNews.ru премодерируемы, за исключением сообщений, в которых имеются ссылки и прикреплённые изображения. Ну и в заключение внешнего знакомства с Samsung 850 EVO — о комплекте поставки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

NAND eMLC — это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Скорость последовательного чтения — это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках.

Выпущенный в середине прошлого года SSD 850 Pro, ставший первым серийным флеш-накопителем на базе 32-слойной MLC 3D V-NAND, продемонстрировал огромный потенциал новой технологии. И о 3D NAND, и о TLC NAND мы уже говорили ранее в соответствующих обзорах. Специально для модели 850 EVO был разработан новый упрощённый и более энергоэффективный контроллер MGX, который имеет лишь два, а не три ядра ARM Cortex-R4.

Технические характеристики и особенности конструкции

Похоже, что Samsung 850 EVO сможет и здесь конкурировать с флагманскими SATA SSD других производителей. И числа в таблице — это скорость работы кеша, то есть при длительных операциях с большими объёмами данных нас будет ожидать совсем иное быстродействие.

В письме следует указать свой ник, используемый аккаунт социальной сети или другого стороннего сервиса, URL материала и ссылку на комментарий и/или его содержание. Учитывая всё это, мы решили не обходить стороной случившееся, а провести собственное расследование: что поменялось внутри Samsung 850 EVO и как это в конечном итоге на нём сказалось.

Подытоживая всё сказанное, представители Samsung обещают, что обновлённые 850 EVO с новой 48-слойной памятью не должны разочаровать потребителей. Основное изменение во второй версии Samsung 850 EVO – конечно же, переход на TLC 3D V-NAND третьего поколения с большим числом слоёв, меньшими ячейками и 256-гигабитными ядрами.

Конкуренты и аналоги

Иными словами, переходить на новую память модификация 850 EVO объёмом 120 Гбайт не будет, и в обозримом будущем она просто исчезнет из продажи. Теперь же все варианты Samsung 850 EVO с TLC 3D V-NAND третьего поколения будут снабжаться DRAM-буфером типа LPDDR3.

Что касается формальных спецификаций, то в них никаких принципиальных изменений нет. Характеристики быстродействия у второй версии Samsung 850 EVO полностью совпадают с показателями первой версии. Простой пример: 850 EVO с рекордной ёмкостью 4 Тбайт потребляет при чтении и записи на 15-20 процентов меньше, чем 850 EVO 1 Тбайт первой версии.

Если же продвинуться дальше спецификаций и заглянуть внутрь Samsung 850 EVO, то можно обнаружить ещё несколько перемен. Но в дополнение к этому уменьшилось вдвое и число микросхем флеш-памяти. Поэтому компании удаётся сэкономить ещё немного текстолита: раньше, например, печатная плата в 850 EVO 500 Гбайт несла на себе четыре чипа флеш-памяти и имела большую площадь. За порядком в комментариях следят модераторы.

В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты для своих SSD-накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов устрйоства.

Объем жесткого диска или SSD — это доступная форматированная емкость накопителя, выраженная в количестве байт, которые можно хранить (включая системную информацию). Такая коробка явно избыточна для SSD, и единственное преимущество в данном случае — это удобство установки в корпус компьютера.

При наличии переходника они устанавливаются и в корпус компьютера. SSD в форм-факторе 1.8″ предназначены для некоторых достаточно редких моделей ноутбуков и других портативных устройств. Данная плата может быть установлена в ноутбук с разъемом mSATA, а также в некоторые материнские платы для компьютера. Некоторые SSD выпускаются в форм-факторе PCI Express. Они устанавливаются в материнскую плату и благодаря более быстродействующему интерфейсу имеют преимущество в производительности.

Интерфейс — это технические средства сопряжения двух компонентов цифровых систем, в данном случае — вычислительной системы и накопителя информации. С развитием технологии хранения данных требуются все более быстродействующие интерфейсы, которые не вносят замедления в процесс обмена данными между компьютером и накопителем.

Он применяется и в SSD, поскольку позволяет сохранить полную совместимость со старыми системами. Существует несколько поколений интерфейсов SATA, для пользователя имеет значение пропускная способность, выражаемая в гигабитах в секунду.

Samsung 850 EVO Series объемом 120 Гб – не стал исключением

Flash-память — это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда.

Однако если говорить о конструкции обновлённых 850 EVO более подробно, то одним лишь этим нововведения не ограничиваются

Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения.

На практике такая скорость достигается лишь в случае копирования достаточно больших файлов (не менее сотен мегабайт). Усредненное энергопотребление устройства при выполнении операций чтения и записи на носитель.

Он рассчитывается в ходе специальных тестов на ускоренный износ и показывает, через какое время работы в среднем должна возникать поломка устройства. Заметили неточность в описании? Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов.

Samsung скрестила технологии TLC NAND и 3D NAND и вывела принципиально новый тип памяти — TLC V-NAND, унаследовавший все преимущества обоих предшественников. Инновации продолжаются и по сей день. Огромный скачок вперёд Samsung сделала в 2013 году, когда смогла начать серийный выпуск трёхмерной флеш-памяти, 3D V-NAND.

Но теперь обе эти технологии слились воедино, и, надо сказать, получилось у них это очень органично. У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня.

Ещё одно изменение в Samsung 850 EVO новой версии – перевод DRAM-буфера на более современный тип памяти. 3D V-NAND — принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность.